Please use this identifier to cite or link to this item: https://doi.org/10.15480/882.1123
Fulltext available Open Access
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorBrinkmeyer, Ernstde_DE
dc.contributor.authorMüller, Jost-
dc.date.accessioned2013-08-07T10:06:09Zde_DE
dc.date.available2013-08-07T10:06:09Zde_DE
dc.date.issued2013de_DE
dc.identifier.isbn978-3-8439-1049-1de_DE
dc.identifier.other756541344de_DE
dc.identifier.urihttp://tubdok.tub.tuhh.de/handle/11420/1125-
dc.description.abstractDiese Arbeit beschreibt Messtechniken zur Charakterisierung integriert-optischer Wellenleitersysteme auf Basis der SOI-Technologie. Hierbei lag der Schwerpunkt auf der Bestimmung der Wellenleiterdämpfung sowie der Lebensdauer freier Ladungsträger. Neben einem neuartigen Verfahren zur räumlich aufgelösten Bestimmung der Wellenleiterverluste mittels optischer Frequenzbereichsreflektometrie (OFDR) wird ein experimenteller Nachweis über das nichtreziproke Verhalten der Raman-Streuung in Siliziumwellenleitern gezeigt. Weiterhin wird ein DUV-Lithografieverfahren zur Herstellung periodischer Strukturen in Fotolacken auf Siliziumsubstraten vorgestellt, das auf der Verwendung von Beugungsgittern basiert.de
dc.description.abstractIn this work, measurement techniques for the characterization of integrated optical waveguides based on the SOI-technology are presented. Silicon nanophotonic waveguides are investigated regarding their linear waveguide losses as well as the lifetime of free charge carriers. A novel measurement technique based on optical frequency-domain reflectometry (OFDR) for the evaluation of the longitudinal attenuation profile of silicon waveguides is introduced. The non-reciprocal behaviour of Raman scattering in silicon waveguides is experimentally shown. Furthermore, a technique for the implementation of periodically structured photoresists on silicon substrates based on DUV-lithography with diffraction gratings is demonstrated.en
dc.language.isodede_DE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.rights.urihttp://doku.b.tu-harburg.de/doku/lic_mit_pod.phpde
dc.subjectOFDRde_DE
dc.subjectSOIde_DE
dc.subjectSiliconde_DE
dc.subjectSOIde_DE
dc.subjectSilicon Photonicsde_DE
dc.subjectOFDRde_DE
dc.subjectRamande_DE
dc.subjectIntegrated Opticsde_DE
dc.titleCharakterisierung integriert-optischer Silizium-Wellenleiterde_DE
dc.title.alternativeCharacterizing integrated silicon waveguidesen
dc.typeThesisde_DE
dcterms.dateAccepted2013-05-14de_DE
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:830-tubdok-12203de_DE
dc.identifier.doi10.15480/882.1123-
dc.type.thesisdoctoralThesisde_DE
dc.type.dinidoctoralThesis-
dc.subject.gndSiliziumde
dc.subject.gndWellenleiterde
dc.subject.gndOptikde
dc.subject.gndKommunikationstechnikde
dc.subject.gndMesstechnikde
dc.subject.gndIntegrierte Optikde
dc.subject.gndPhotonikde
dc.subject.gndReflektometriede
dc.subject.gndRaman-Effektde
dc.subject.ddccode620-
dcterms.DCMITypeText-
tuhh.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:830-tubdok-12203de_DE
tuhh.publikation.typdoctoralThesisde_DE
tuhh.publikation.fachbereichElektrotechnik und Informationstechnikde_DE
tuhh.opus.id1220de_DE
tuhh.gvk.ppn756541344de_DE
tuhh.oai.showtruede_DE
tuhh.pod.urlhttp://www.epubli.de/oai/tu-hamburg/1220?idp=urn:nbn:de:gbv:830-tubdok-12203de_DE
tuhh.pod.allowedtruede_DE
dc.identifier.hdl11420/1125-
tuhh.title.englishCharacterizing integrated silicon waveguidesen
tuhh.abstract.germanDiese Arbeit beschreibt Messtechniken zur Charakterisierung integriert-optischer Wellenleitersysteme auf Basis der SOI-Technologie. Hierbei lag der Schwerpunkt auf der Bestimmung der Wellenleiterdämpfung sowie der Lebensdauer freier Ladungsträger. Neben einem neuartigen Verfahren zur räumlich aufgelösten Bestimmung der Wellenleiterverluste mittels optischer Frequenzbereichsreflektometrie (OFDR) wird ein experimenteller Nachweis über das nichtreziproke Verhalten der Raman-Streuung in Siliziumwellenleitern gezeigt. Weiterhin wird ein DUV-Lithografieverfahren zur Herstellung periodischer Strukturen in Fotolacken auf Siliziumsubstraten vorgestellt, das auf der Verwendung von Beugungsgittern basiert.de_DE
tuhh.abstract.englishIn this work, measurement techniques for the characterization of integrated optical waveguides based on the SOI-technology are presented. Silicon nanophotonic waveguides are investigated regarding their linear waveguide losses as well as the lifetime of free charge carriers. A novel measurement technique based on optical frequency-domain reflectometry (OFDR) for the evaluation of the longitudinal attenuation profile of silicon waveguides is introduced. The non-reciprocal behaviour of Raman scattering in silicon waveguides is experimentally shown. Furthermore, a technique for the implementation of periodically structured photoresists on silicon substrates based on DUV-lithography with diffraction gratings is demonstrated.de_DE
tuhh.publication.instituteOptische Kommunikationstechnik E-11(H)de_DE
tuhh.identifier.doi10.15480/882.1123-
tuhh.type.opusDissertation-
tuhh.institute.germanOptische Kommunikationstechnik E-11de
tuhh.institute.englishOptical Communication Technology E-11en
tuhh.institute.id16de_DE
tuhh.type.id8de_DE
thesis.grantorTechnische Universität Hamburgde
tuhh.gvk.hasppntrue-
dc.type.driverdoctoralThesis-
dc.identifier.oclc930768715-
thesis.grantor.universityOrInstitutionTechnische Universität Hamburgde
thesis.grantor.placeHamburgde
thesis.grantor.departmentOptical Communication Technology E-11de
dc.type.casraiDissertation-
item.creatorOrcidMüller, Jost-
item.languageiso639-1de-
item.openairetypeThesis-
item.fulltextWith Fulltext-
item.creatorGNDMüller, Jost-
item.mappedtypedoctoralThesis-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_46ec-
item.grantfulltextopen-
item.cerifentitytypePublications-
item.advisorGNDBrinkmeyer, Ernst-
crisitem.author.deptOptische Kommunikationstechnik (E-11H)-
crisitem.author.parentorgEhemalige Institute der TUHH-
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