Brinkmeyer, ErnstErnstBrinkmeyer140897941Müller, JostJostMüller2013-08-072013-08-072013756541344http://tubdok.tub.tuhh.de/handle/11420/1125Diese Arbeit beschreibt Messtechniken zur Charakterisierung integriert-optischer Wellenleitersysteme auf Basis der SOI-Technologie. Hierbei lag der Schwerpunkt auf der Bestimmung der Wellenleiterdämpfung sowie der Lebensdauer freier Ladungsträger. Neben einem neuartigen Verfahren zur räumlich aufgelösten Bestimmung der Wellenleiterverluste mittels optischer Frequenzbereichsreflektometrie (OFDR) wird ein experimenteller Nachweis über das nichtreziproke Verhalten der Raman-Streuung in Siliziumwellenleitern gezeigt. Weiterhin wird ein DUV-Lithografieverfahren zur Herstellung periodischer Strukturen in Fotolacken auf Siliziumsubstraten vorgestellt, das auf der Verwendung von Beugungsgittern basiert.In this work, measurement techniques for the characterization of integrated optical waveguides based on the SOI-technology are presented. Silicon nanophotonic waveguides are investigated regarding their linear waveguide losses as well as the lifetime of free charge carriers. A novel measurement technique based on optical frequency-domain reflectometry (OFDR) for the evaluation of the longitudinal attenuation profile of silicon waveguides is introduced. The non-reciprocal behaviour of Raman scattering in silicon waveguides is experimentally shown. Furthermore, a technique for the implementation of periodically structured photoresists on silicon substrates based on DUV-lithography with diffraction gratings is demonstrated.dehttp://doku.b.tu-harburg.de/doku/lic_mit_pod.phpOFDRSOISiliconSOISilicon PhotonicsOFDRRamanIntegrated OpticsDoctoral Thesisurn:nbn:de:gbv:830-tubdok-1220310.15480/882.1123SiliziumWellenleiterOptikKommunikationstechnikMesstechnikIntegrierte OptikPhotonikReflektometrieRaman-Effekt11420/112510.15480/882.1123930768715PhD Thesis