Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von integrierten Hochfrequenz-Leistungsverstärkern für die Raumfahrt mit Galliumnitrid-Technologie im K-, Ka- und Q/V-Band

2023-06-252023-06-25https://tore.tuhh.de/handle/11420/16990Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von integrierten Hochfrequenz-Leistungsverstärkern für die Raumfahrt mit Galliumnitrid-Technologie im K-, Ka- und Q/V-Band - LEVERAGE-2