Schuster, ChristianChristianSchuster106085581X0000-0003-4019-0788Dahl, DavidDavidDahl2018-07-192018-07-192018http://tubdok.tub.tuhh.de/handle/11420/1716Die vorliegende Arbeit beschreibt die Simulation und den Entwurf von Durchkontaktierungen in Siliziumsubstraten (TSVs), wie sie in der Aufbau- und Verbindungstechnik für integrierte Schaltkreise Anwendung finden. Numerische Verfahren von vergleichsweise hoher numerischer Effizienz werden entwickelt und angewendet, um realistische Anordnungen mit großen Anzahlen von TSVs simulieren zu können. Die vorgestellten Methoden werden mit alternativen Ansätzen korreliert und aus Parametervariationen werden Designempfehlungen abgeleitet. Des Weiteren werden mehrere Messstrukturen mit TSVs entwickelt und Messergebnisse für diese mit Simulationsergebnissen verglichen.This thesis presents the simulation and the design of vertical interconnects in silicon substrates known as through silicon vias (TSVs) which are applied as a component of 3D integration of integrated circuits. Numerical methods of comparably high efficiency are developed and applied in order to simulate the electromagnetic properties of large realistic arrays of TSVs. The proposed methods are correlated with alternative methods and parameter variations are carried out to derive design guidelines. Further, several test structures with TSVs are developed and the measurement results are correlated with the results from electromagnetic simulations.enhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/siliconintegrated circuitelectromagnetic fieldselectromagnetic modelingcontour integral methodinterconnect modelingIngenieurwissenschaftenDoctoral Thesisurn:nbn:de:gbv:830-8822181710.15480/882.171311420/171610.15480/882.1713Lang, Klaus-DieterKlaus-DieterLangNdip, IvanIvanNdipBauch, GerhardGerhardBauchPhD Thesis