Please use this identifier to cite or link to this item: https://doi.org/10.15480/882.724
Fulltext available Open Access
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorKrautschneider, Wolfgangde_DE
dc.contributor.authorAvellán Hampe, Alejandro-
dc.date.accessioned2009-11-17T09:35:59Zde_DE
dc.date.available2009-11-17T09:35:59Zde_DE
dc.date.issued2004de_DE
dc.identifier.citationCharakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch / Alejandro Avellán Hampe. Düsseldorf : VDI-Verl., 2004. (Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik ; 371)de_DE
dc.identifier.other612933598de_DE
dc.identifier.urihttp://tubdok.tub.tuhh.de/handle/11420/726-
dc.description.abstractDie fortschreitende Skalierung und zunehmende Packungsdichte integrierter Schaltkreise führt zu immer höheren Belastungen der elektronischen Bauelemente. Bei MOS-Transistoren erhöht sich dadurch die Wahrscheinlichkeit eines Gateoxiddurchbruchs. In der vorliegenden Arbeit werden Untersuchungen zum Verhalten von MOS-Transistoren vor und nach einem Gateoxiddurchbruch präsentiert. Dabei werden unterschiedliche Durchbruchsarten klassifiziert und Modelle für die DC-Kennlinien sowie für das Rauschen (Random Telegraph Signals) nach Durchbruch entwickelt. Mit Hilfe der Modelle wird abschließend die Funktion ausgewählter analoger und digitaler Schaltungen analysiert. Es zeigt sich, daß je nach Anwendung und Durchbruchstyp auch nach Durchbruch eines Transistors die Funktion der Schaltkreise erhalten bleiben kann. Mit diesem Ansatz kann bereits während der Design-Phase die Zuverlässigkeit der Schaltung untersucht werden.de
dc.description.abstractThe continuous scaling of integrated circuits in the last decades has led to gate oxide thicknesses below 2nm in MOS transistors of state of the art technologies. Breakdown of such thin oxides becomes intrinsically more likely, and the 1 billion transistor chip is already within reach. Therefore, the probability of having at least one oxide breakdown within the projected circuit lifetime of 10 years seems quite high. In this work, the characteristics of MOS transistors before and after gate oxide breakdown are studied. Different categories of breakdown are identified and models for the dc characteristics as well as the noise (random telegraph signals) after breakdown are developed. The models are implemented to analyze the effect of breakdown on different analog and digital circuits. It is shown that, according to the application and breakdown type, circuits may be functional after breakdown of a transistor. With the presented approach it is possible to point out critical transistors in the circuit and analyze the impact of breakdown during the design stage.en
dc.language.isodede_DE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.rights.urihttp://doku.b.tu-harburg.de/doku/lic_ohne_pod.phpde
dc.subjectMOSde_DE
dc.subjectTransistorde_DE
dc.subjectGateoxidde_DE
dc.subjectCharakterisierungde_DE
dc.subjectRTSde_DE
dc.subjectRauschende_DE
dc.subjectBreakdownde_DE
dc.subjectDurchbruchde_DE
dc.subjectSchaltungde_DE
dc.subjectVerstärkerde_DE
dc.subjectMOS transistorde_DE
dc.subjectgate oxide breakdownde_DE
dc.titleCharakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruchde_DE
dc.title.alternativeCharacterization of MOS transistors before and after gate oxide breakdownen
dc.typeThesisde_DE
dcterms.dateAccepted2004-01-16de_DE
dc.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:830-tubdok-8105de_DE
dc.identifier.doi10.15480/882.724-
dc.type.thesisdoctoralThesisde_DE
dc.type.dinidoctoralThesis-
dc.subject.bcl50.94:Mikrosystemtechnik, Nanotechnologiede
dc.subject.bcl53.51:Bauelemente der Elektronikde
dc.subject.gndMOS-FETde
dc.subject.gndElektrischer Durchbruchde
dc.subject.bclcode53.51-
dc.subject.bclcode50.94-
dc.subject.ddccode620-
dcterms.DCMITypeText-
tuhh.identifier.urnurn:nbn:de:gbv:830-tubdok-8105de_DE
tuhh.publikation.typdoctoralThesisde_DE
tuhh.publikation.sourceCharakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch / Alejandro Avellán Hampe. Düsseldorf : VDI-Verl., 2004. (Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik ; 371)de_DE
tuhh.publikation.fachbereichElektrotechnik und Informationstechnikde_DE
tuhh.opus.id810de_DE
tuhh.gvk.ppn612933598de_DE
tuhh.oai.showtruede_DE
tuhh.pod.allowedfalsede_DE
dc.identifier.hdl11420/726-
tuhh.title.englishCharacterization of MOS transistors before and after gate oxide breakdownen
tuhh.abstract.germanDie fortschreitende Skalierung und zunehmende Packungsdichte integrierter Schaltkreise führt zu immer höheren Belastungen der elektronischen Bauelemente. Bei MOS-Transistoren erhöht sich dadurch die Wahrscheinlichkeit eines Gateoxiddurchbruchs. In der vorliegenden Arbeit werden Untersuchungen zum Verhalten von MOS-Transistoren vor und nach einem Gateoxiddurchbruch präsentiert. Dabei werden unterschiedliche Durchbruchsarten klassifiziert und Modelle für die DC-Kennlinien sowie für das Rauschen (Random Telegraph Signals) nach Durchbruch entwickelt. Mit Hilfe der Modelle wird abschließend die Funktion ausgewählter analoger und digitaler Schaltungen analysiert. Es zeigt sich, daß je nach Anwendung und Durchbruchstyp auch nach Durchbruch eines Transistors die Funktion der Schaltkreise erhalten bleiben kann. Mit diesem Ansatz kann bereits während der Design-Phase die Zuverlässigkeit der Schaltung untersucht werden.de_DE
tuhh.abstract.englishThe continuous scaling of integrated circuits in the last decades has led to gate oxide thicknesses below 2nm in MOS transistors of state of the art technologies. Breakdown of such thin oxides becomes intrinsically more likely, and the 1 billion transistor chip is already within reach. Therefore, the probability of having at least one oxide breakdown within the projected circuit lifetime of 10 years seems quite high. In this work, the characteristics of MOS transistors before and after gate oxide breakdown are studied. Different categories of breakdown are identified and models for the dc characteristics as well as the noise (random telegraph signals) after breakdown are developed. The models are implemented to analyze the effect of breakdown on different analog and digital circuits. It is shown that, according to the application and breakdown type, circuits may be functional after breakdown of a transistor. With the presented approach it is possible to point out critical transistors in the circuit and analyze the impact of breakdown during the design stage.de_DE
tuhh.publication.instituteNano- und Medizinelektronik E-9de_DE
tuhh.identifier.doi10.15480/882.724-
tuhh.type.opusDissertation-
tuhh.institute.germanNano- und Medizinelektronik E-9de
tuhh.institute.englishNanoelectronics E-9 (Microelectronic)en
tuhh.institute.id42de_DE
tuhh.type.id8de_DE
thesis.grantorTechnische Universität Hamburgde
tuhh.gvk.hasppntrue-
dc.type.driverdoctoralThesis-
dc.identifier.oclc930768574-
thesis.grantor.universityOrInstitutionTechnische Universität Hamburgde
thesis.grantor.placeHamburgde
thesis.grantor.departmentNanoelectronics E-9 (Microelectronic)de
dc.type.casraiDissertation-
item.languageiso639-1de-
item.grantfulltextopen-
item.openairetypeThesis-
item.advisorGNDKrautschneider, Wolfgang-
item.cerifentitytypePublications-
item.creatorOrcidAvellán Hampe, Alejandro-
item.fulltextWith Fulltext-
item.creatorGNDAvellán Hampe, Alejandro-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_46ec-
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